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         非光敏产品信息清单（400~800r/min *10s+3000~3500r/min*30s)

牌号

产品粘度/cp

固含量/%

前烘膜厚

亚胺化膜厚范围

特点

适用工艺及使用领域

ZKPI-3010

2500-3500

10-12

5±1

3±1

低应力，低 CTE，低吸湿性，高模量和良好的延展性

干法或激光蚀刻工艺

ZKPI-3021

1200-1400

18-20

3±1

2±1

亚胺化速度快，温度低，用作应力缓冲层或层间介电层

干法或激光蚀刻工艺

ZKPI-3022S（流平型）

1800-2000

16-17

5±1

3±1

湿法或等离子蚀刻工艺

ZKPI-3022L（低粘性）

1100-1300

14-15

3±1

2±1

ZKPI-3022M（中粘性）

5000-6000

18-20

7±1

5±1

ZKPI-3022H（高粘性）

14000-15000

19-20

14±1

9±1

ZKPI-3031

10000-12000

14-16

7±1

5±1

标准型聚酰亚胺
（适用于高温、高压、隔温、绝缘等器件的应用缓冲层和保护层等。）

1. 二极管、三极管的表面保护；
2. 高压硅堆的表面钝化；
3. 应力缓冲层和保护层；
4. 引线结点的表面保护；
5. a-粒子阻挡层；
6. 多层金属互联结构和MCM-D的层间介电绝缘层。

ZKPI-3032

8000-10000

14-16

7±1

5.238±0.3

ZKPI-309

6000-7000

14-16

6±1

4±1

高柔顺性

特种光纤专用

ZKPI-810-4

1400-1500

25-30

3±1

3±1

1、固化温度180-220 ℃，特殊情况可降至160 -180℃；
2、存储稳定性好，25℃室温下，存储器超过6个月；
3、与各种基材表面都具有优良的粘结性
4、热学、力学、电学等重要参数与标准型相当。

适于无法承受220 ℃以上高温工序的集成电路和电子元器件。
1、分立器件和集成电路芯片的保护层及应力缓冲层；
2、多层互连结构的层间绝缘和介电薄膜；
3、热敏电阻的保护材料；
4、电容器的介质层材料。

ZKPI-600-2

1800-2200

18-20

5±1

3±1

超高绝缘性

高反压极小漏电流微型硅堆专用